长江存储指控称，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。

值得一提的是，2023年11月，长江存储就曾在美起诉美光专利侵权，称美光的多款固态硬盘产品涉嫌侵犯了长江存储的8项专利，这些专利涉及到3D NAND存储器的形成方法、控制方法、直通阵列接触 (TAC)、读取方法和多层堆叠方法等方面，并要求法院禁止美光继续使用长江存储的多项3D NAND技术专利，并赔偿损失和诉讼费用。

以下是诉讼中引用的八项专利：

US10950623：3D NAND存储器件及其形成方法

US11501822：非易失性存储器件及控制方法

US10658378：三维存储器件的直通阵列接触（TAC）

US10937806：三维存储器件的直通阵列接触（TAC）

US10861872：三维存储装置及其形成方法

US11468957：NAND存储器操作的架构和方法

US11600342：三维存储设备的读取时间

US10868031：多堆叠三维存储器件及其制造方法

今年6月7日，长江存储由在美国加利福尼亚州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁罗丝琳·雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

显然，长江存储正试图通过专利来打击美光，以获得对抗美国打压的筹码。

美国商务部于2022年底将长江存储列入了实体清单，这使得该公司无法从美国公司获得先进的半导体设备来制造领先的128层及以上的3D NAND Flash器件。

尽管受到美国政府的严格限制，长江存储仍继续努力通过原有的设备及国产设备来帮助其发展其3D NAND Flash。该公司的Xtacking 3.0产品依然在奋力的维持生产，并正在开发新一代的Xtacking 4.0架构的3D NAND Flash。

今年早些时候，长江存储还宣布，它已经设法将3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水平（达到4000个编程/擦除周期），这大大改善了廉价SSD的特性。

来源：芯智讯、tomshardware

编辑：Sharon