![](UploadFiles/2024722152615277.png)
涉及11项专利!长江存储起诉美光专利侵权
长江存储指控称,美光的96层(B27A)、128层(B37R)、176层(B47R)和232层(B58R)3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM产品(Y2BM系列)侵犯了长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。
值得一提的是,2023年11月,长江存储就曾在美起诉美光专利侵权,称美光的多款固态硬盘产品涉嫌侵犯了长江存储的8项专利,这些专利涉及到3D NAND存储器的形成方法、控制方法、直通阵列接触 (TAC)、读取方法和多层堆叠方法等方面,并要求法院禁止美光继续使用长江存储的多项3D NAND技术专利,并赔偿损失和诉讼费用。
以下是诉讼中引用的八项专利:
US10950623:3D NAND存储器件及其形成方法
US11501822:非易失性存储器件及控制方法
US10658378:三维存储器件的直通阵列接触(TAC)
US10937806:三维存储器件的直通阵列接触(TAC)
US10861872:三维存储装置及其形成方法
US11468957:NAND存储器操作的架构和方法
US11600342:三维存储设备的读取时间
US10868031:多堆叠三维存储器件及其制造方法
今年6月7日,长江存储由在美国加利福尼亚州北区联邦地区法院提起诉讼,指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁罗丝琳·雷顿(Roslyn Layton)散布虚假信息,破坏长江存储的市场声誉和商业关系。
显然,长江存储正试图通过专利来打击美光,以获得对抗美国打压的筹码。
美国商务部于2022年底将长江存储列入了实体清单,这使得该公司无法从美国公司获得先进的半导体设备来制造领先的128层及以上的3D NAND Flash器件。
尽管受到美国政府的严格限制,长江存储仍继续努力通过原有的设备及国产设备来帮助其发展其3D NAND Flash。该公司的Xtacking 3.0产品依然在奋力的维持生产,并正在开发新一代的Xtacking 4.0架构的3D NAND Flash。
今年早些时候,长江存储还宣布,它已经设法将3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水平(达到4000个编程/擦除周期),这大大改善了廉价SSD的特性。
来源:芯智讯、tomshardware
编辑:Sharon
![](/UploadFiles/image/20240722/20240722152557915791.png)