从PADIS到Brasil Semicon：巴西早期法律架构为何如今亟需加大投入、扩大保护范围并筑牢执法机制？

中国于2026年修订《集成电路布图设计保护条例》，可谓恰逢其时。中国DRAM（动态随机存取存储器）龙头企业长鑫存储正迅速崛起。数据显示，长鑫2025年第四季度销售额占据全球DRAM市场的7.67%，位列全球第四。其发展轨迹表明，半导体企业的长期成长有赖于耐心资本投入、产业制造规模提升、研发创新、知识产权体系完善与资本市场支持共同形成的协同发展机制。早在2007年，巴西便已认识到类似的制度逻辑。当年第11,484号法律不仅创设了“半导体产业技术发展支持计划”（PADIS），还在同一法律框架下为集成电路布图设计（拓扑结构）确立了专门的知识产权保护制度。该制度设计颇具前瞻性，然而，其支撑起的产业规模、登记实践及执法经验至今仍十分有限。

理解中国此次法律改革，需置于当前存储芯片产业发展的经济背景之中。2026年7月27日，长鑫存储股份有限公司在上海证券交易所科创板正式挂牌上市。该公司以每股8.66元人民币发行约66.9亿股，募集资金约579亿元人民币（约合86亿美元），成为截至目前亚洲年内规模最大的首次公开募股（IPO）。上市首日，长鑫存储股价较发行价上涨466%，收盘市值约达3.3万亿元人民币。

不过，长鑫存储的重要性不仅限于金融市场，更体现于产业战略价值。DRAM是智能手机、计算机、服务器及人工智能系统中用于临时存储数据的核心工作存储器。先进处理器需要大量高速存储资源，因此，实现DRAM的本土供应，有助于降低对外国供应商的依赖，缓解因地缘政治风险及出口管制带来的供应链风险。当前，全球存储产业正处在人工智能驱动的新一轮上升周期。数据中心投资增长及对高带宽存储器（HBM）的需求上升，令市场供应趋紧，并改善了传统存储芯片企业的增长预期。

据长鑫存储招股说明书披露，2025年第四季度，公司占全球DRAM销售额的7.67%，排名全球第四，居中国大陆之首。公司营收从2023年的90.9亿元人民币增至2025年的618亿元人民币。仅2025年一年，其研发投入即达95.9亿元人民币，占全年收入的15.52%。[1]

一、以知识产权制度持续驱动创新

2026年7月23日，中国国务院公布了修订后的《集成电路布图设计保护条例》。该条例共54条，自2026年10月15日起施行，对2001年确立的布图设计保护制度进行了全面更新。国家知识产权局表示，鉴于集成电路技术快速迭代、产业结构持续演变，有必要进一步完善布图设计的登记、保护与管理制度，对实践中形成的有效做法进行制度化，并推动相关规则与其他法律制度及国际义务相衔接。

此次修订主要涉及以下几个方面：

第一，新条例明确将保护范围扩展至具有集成光子功能、量子功能及类似功能的集成电路布图设计。

第二，申请人须提交原创性声明，明确标示原创性设计区域、主要设计特征及其对应功能。提交的复制件或附图应清晰显示主张原创性的部分。

第三，国家知识产权局将进行形式审查，并可对明显不符合法定条件的申请作出驳回决定。

第四，国家知识产权局可依职权主动撤销无效登记；任何主体也可基于法定理由提出撤销请求。

在侵权责任方面，则进一步强化了损害赔偿制度。赔偿数额可依据权利人实际损失、侵权人获利或合理许可费的倍数确定。若侵权属故意且情节严重，法院可判处最高达上述基数五倍的惩罚性赔偿；如三种计算方式均无法适用，则适用人民币500万元的法定赔偿上限。

同时，条例保留了多项促进创新与竞争的例外规定，包括：科学研究与评价例外、通过反向工程获得原创布图设计、独立创作、权利用尽、善意取得者保护，以及在特定公共利益或竞争情形下实施非自愿许可。[2]

据统计，2025年中国共受理集成电路布图设计登记申请11,482件，颁发登记证书10,302件。[3]

二、2007年PADIS计划与集成电路布图设计知识产权制度

早在约二十年前，巴西已认识到建立集成电路产业政策体系的必要性。2007年第11,484号法律在创设“PADIS”的同时，在同一部法律中为集成电路布图设计确立了专门的知识产权保护制度。

PADIS将税收激励政策与国内研发及技术创新活动挂钩，要求部分投资须经由经认证的巴西科研或教育机构执行，并规定经批准的研发项目所产生的知识产权成果应在巴西寻求保护。[4]

2007年的制度设计在方向上无疑是正确的——它已认识到，半导体政策必须将资本支出、工程能力、高等院校与研究机构、国内价值创造以及无形资产权属融为一体。

然而，真正制约其成效的并非政策理念的缺失，而是投入规模和持续性的不足。2025年，巴西国家工业产权局仅受理7件布图设计申请，授予5件注册。相比之下，中国同期的申请量约为巴西的1,600倍。当然，两国在产业规模和市场规模上存在巨大差异，数据未必具有直接可比性；但差距之大仍然足以表明：集成电路布图设计注册在中国已成为知识产权实践中的成熟工具，而在巴西仍处于边缘位置。[5]

近年来，巴西重新着手强化半导体产业政策体系。2024年第14,968号法律设立了“巴西半导体计划”（Brasil Semicon），旨在加强半导体、显示器及太阳能电池板领域的研究、开发、创新、设计、生产和应用。该法律同时授权巴西国家经济社会发展银行（BNDES）与巴西研究与项目融资机构（Finep）设计融资及支持工具。

2026年第13,065号总统令进一步增加了治理、投资、人才培养、基础设施建设、贸易便利化及监督管理等方面的配套措施。需要指出的是，该总统令的出台，距2024年法律所规定的六个月监管期限已逾期超过一年。这种时间上的滞后，不禁令人质疑：巴西是否真能以同样的力度和效率，推动专门知识产权制度的现代化？[6]

 

三、巴西现行保护制度

巴西对于集成电路布图设计的保护主要规定于2007年第11,484号法律第三章，由巴西工业产权局（INPI）负责管理。该制度是一种独立类型的登记权利（sui generis registered right），有别于专利、版权、工业品外观设计和商业秘密。

上述多种保护形式可以并行适用。例如，一家半导体公司可对技术发明申请专利，对布图设计进行注册，对软件主张版权，将工艺专有技术作为商业秘密持有，并通过合同约定所有权、代工厂准入及许可等事项。[7]

 

四、保护范围与客体

巴西法律将集成电路定义为：一种最终产品或者中间产品，其至少包含一个有源元件，并且部分或全部互连结构整体形成于某种材料内部或表面，旨在实现“电子功能”。

集成电路布图设计则被定义为：由一系列相互关联的图像构成的表达，呈现集成电路各层的三维结构配置。其中，每幅图像展示集成电路在构思或制造某一阶段中的全部或部分几何排列或表面布局。[8]只有具备原创性的布图设计方可获得保护。

该设计必须源于创作者的智力劳动，且在创作之时，对于相关领域的技术人员、专家或制造商而言，并非普通或常规的设计。即使组合中包含常见设计元素，只要组合整体具有原创性，仍可获得保护。但保护范围不延及布图设计所蕴含的基础概念、工艺流程、系统、技术或存储信息。巴西实行登记取得制，即仅完成设计创作本身并不自动产生法定的专有权；权利人必须完成登记程序，方能获得法律保护。[9]

 

五、专有权内容和保护期限

布图设计登记赋予权利人以下专有权：

• 复制权：全部或部分复制受保护布图设计，以及将该布图设计纳入集成电路中。
• 商业化权：对受保护布图设计及含有该布图设计的集成电路，享有商业性进口、销售及分销的控制权。
• 下游产品控制权：对于含有非法复制之集成电路的下游产品，权利人同样有权控制其商业性进口、销售及分销；该权利在侵权复制状态存续期间持续有效。

保护期限为自申请日或首次商业利用之日（以较早者为准）起十年。若申请人在提交申请时声明首次商业利用已逾两年，则该申请将被最终归档，不再继续审查。[10]

 

六、科研使用、反向工程与独立创作例外

巴西法律同时包含促进创新与维护竞争的重要例外规则。专有权并不适用于：分析、评价、教学或研究目的而实施的行为。

法律允许基于对受保护布图设计的分析，创作或利用新的布图设计，但前提是该新设计不得与原设计实质相同。法律同时承认独立创作原则，以及经权利人授权投放市场后的权利用尽。

对于善意使用者：如果其不知道、且没有合理理由应当知道相关侵权事实，在收到通知后，仍可继续处置其已有库存或此前订购的产品，但须向权利人支付相当于自愿许可费的合理报酬。[11]

 

七、许可、权利有效性与执法机制

巴西法律允许自愿许可和公共非商业性使用，在以下情形下，还可实施强制许可：为保护竞争、防止权利或市场地位滥用，或为应对价格、数量或质量方面的供应不足。

布图设计登记可由联邦法院宣告全部或部分无效，INPI为无效程序中的必要当事人。无效事由包括缺乏原创性、标识不充分或申请延迟提交。此外，被控侵权方亦可在侵权诉讼中提出权利无效抗辩。

在民事救济方面，法院可责令停止违法行为、强制性罚款以及判令损害赔偿。部分未经授权的商业利用行为还可能构成刑事犯罪，可处以一年至四年拘留及罚金。[12]

 

八、光子集成电路的保护问题

巴西现行集成电路布图设计制度最显著的实质性缺陷，在于其技术用语仍显陈旧。现行法律将保护对象限定于具有“电子功能”（electronic function）的集成电路，而中国2026年修订后的制度已明确覆盖光子集成、量子集成及类似新兴技术的布图设计。

不过，INPI在法律适用方面已经表现出一定灵活性。2025年11月，INPI向坎皮纳格兰德联邦大学授予了一项布图设计登记，其名称为：“具有六边形架构的光子集成电路及其光学处理应用”（Integrated Photonic Circuit with Hexagonal Architecture for Optical Processing），这一登记具有积极意义，但行政层面的登记并不能替代法定的技术中立定义，尤其在涉及司法程序中的权利有效性争议时，法律条文对光子技术的明确涵盖，无疑能提供更高的确定性。[13]

 

九、巴西集成电路布图设计申请流程

目前，巴西集成电路布图设计申请采取电子方式提交。INPI第109/2019号规范性指令（Normative Instruction No. 109/2019）建立了e-Chip电子申请系统，并明确废止了第10/2013号规范性指令。虽然2013年规定仍具历史参考价值，但现行申请应以2019年规范为准。

一个完整的申请流程主要包括以下阶段。

1. 确认申请资格、权利归属及时间节点

申请应针对单一项布图设计提出，印刷电路板布局不在保护范围内。申请人需确认创作者身份、雇佣关系、合作或转让安排，以及是否包含经授权的第三方受保护布图设计，同时明确首次商业利用日期。

住所位于巴西境外的申请人，必须指定一名在巴西境内有住所的代理人。该代理人应有权代为处理行政与司法事务，并接收法律文书送达。

2. 准备技术交存材料

申请文件包括一份葡萄牙语撰写的布图设计说明及其功能描述（PDF格式），以及足以识别设计结构并体现其原创性的图纸文件（GDS、GDS-II或OASIS格式）。根据INPI现行指南，其他格式的图纸文件不予接受。

申请人还应妥善保存以下资料：设计版本记录、原始设计文件、贡献者记录、流片（tape-out）文件、首次商业利用证明及第三方IP模块来源证明。在后续可能的侵权诉讼或有效性争议中，这些材料的价值甚至可能超过登记证书本身。

3. e-Chip系统申请与审查

电子申请表需载明申请人、创作者、布图设计名称、首次商业利用日期、技术资料、相关第三方授权、代理文件及经签署的真实性声明。

申请人可在提交申请时请求六个月的保密期，并在该期限内依法律规定的条件撤回申请。INPI进行的是形式审查，而非专利法意义上的实质审查。任何形式缺陷须在60天内补正，否则该申请将被最终归档。

审查过程中的相关决定及最终授权结果，将通过INPI《工业产权公报》（Industrial Property Gazette）予以公布。申请人应在申请全程中密切关注INPI的公告信息。[14]

 

十、结论

中国2026年的改革与长鑫存储等本土芯片企业的崛起，从不同维度印证了同一个战略判断。长鑫存储代表了这一判断的经济维度：耐心资本、制造能力、研发积累、市场需求与知识产权组合，能够帮助一家本土企业跻身全球高度集中的技术市场，成为其中中坚力量。

修订后的《集成电路布图设计保护条例》，则体现了这一判断的法律维度：随着产业技术日趋复杂、产品商业价值不断攀升，保护客体、登记制度、权利有效性、许可机制及执法规则均须同步更新。

巴西应将此次变革视为继续推进2007年制度议程的重要契机。当年通过同步推出PADIS计划与布图设计保护制度，巴西已然认识到：产业激励与保障创新成果，本质上是同一产业战略的一体两面。当前制度的不足主要体现在：投资规模有限、政策连续性不足、专门权利使用率极低、技术用语滞后，以及成熟执法实践的缺失。[15]

Brasil Semicon的出台，为这一未竟议程提供了新的政策工具。巴西应在芯片设计、专业制造、光子技术、封装、测试、半导体工具、人才培养及商业化应用等方面进行持续加大投入。同时，应借助技术中立的保护范围、更清晰的登记记录、高效的有效性审查、可靠的损害赔偿规则，以及能够处理半导体领域保密证据的诉讼程序，推动布图设计保护制度的现代化。[16]

自2007年以来，始终有一条不变之理：半导体能力的形成，需产业政策、科研机构、社会资本与可执行的知识产权制度同向发力。中国正在同步推进芯片产业升级和法律基础设施完善，巴西也应当走同样的道路——知识产权不会自动催生创新，而借由公共政策所支持的创新成果，需要一个能够清晰确权、自由交易、获得融资并最终得到有效保护的法律框架来承接。

注释（上下滑动阅览）

【1】https://www.investing.com/news/stock-market-news/china-memory-chipmaker-cxmt-set-for-shanghai-debut-after-asias-biggest-ipo-4812927

【2】https://www.cnipa.gov.cn/art/2026/8/3/art_106_207524.html

【3】https://english.cnipa.gov.cn/art/2026/1/29/art_3603_203850.html

【4】https://www.planalto.gov.br/ccivil_03/_ato2007-2010/2007/lei/l11484compilado.htm

【5】https://www.gov.br/inpi/pt-br/central-de-conteudo/estatisticas/arquivos/publicacoes/boletim-mensal-de-pi_resultados-de-dezembro-2025.pdf

【6】https://www.planalto.gov.br/ccivil_03/_ato2023-2026/2024/lei/l14968.htm

【7】https://www.planalto.gov.br/ccivil_03/_ato2007-2010/2007/lei/l11484compilado.htm

【8】https://www.planalto.gov.br/ccivil_03/_ato2007-2010/2007/lei/l11484compilado.htm

【9】https://www.planalto.gov.br/ccivil_03/_ato2007-2010/2007/lei/l11484compilado.htm

【10】https://www.planalto.gov.br/ccivil_03/_ato2007-2010/2007/lei/l11484compilado.htm

【11】https://www.planalto.gov.br/ccivil_03/_ato2007-2010/2007/lei/l11484compilado.htm

【12】https://www.planalto.gov.br/ccivil_03/_ato2007-2010/2007/lei/l11484compilado.htm

【13】https://www.gov.br/inpi/pt-br/servicos/topografias-de-circuitos-integrados/pedidos-de-topografia-de-circuitos-integrados

【14】https://www.planalto.gov.br/ccivil_03/_ato2007-2010/2007/lei/l11484compilado.htm

【15】https://www.planalto.gov.br/ccivil_03/_ato2007-2010/2007/lei/l11484compilado.htm

【16】https://www.planalto.gov.br/ccivil_03/_ato2023-2026/2024/lei/l14968.htm

作者：Rob Rodrigues

编辑：Sharon